7–5奈米元件製程整合II
終極互補金氧半場效電晶體的科學與科技研究

矽基互補式金氧半場效電晶體已逼近了物理與技術上的極限,進一步於矽基元件上的微縮將難以帶來更好的元件性能。根據 ITRS,為了滿足次世代CMOS之提升通道載子傳輸速率,以及降低元件功率損耗等要求,未來必須要採用新的元件結構,引進高介電常數氧化物/金屬閘極技術於鍺(PFET)以及三五族化合物砷化銦鎵(NFET)等具有高載子遷移率之通道材料,以符合7奈米節點以下的CMOS之規格需求。通道材料整合於矽基板上的革命性技術,將可以大幅領先現有以矽為主的半導體技術,超越7nm世代的技術。