7–5奈米製程模組技術

在配合前瞻電晶體元件研發之同時,基本重要之技術模組需適時配合,才能使構想快速獲得實現與驗證。因此本分項計畫針對相當重要之微影技術提出國際前瞻之超小尺寸開發。

為了提供10奈米以下前瞻元件研究需要的關鍵尺寸與穩定性,本研究分項負責關鍵製程模組—新世代氦與氖稀氣聚焦離子束製像技術的建立與研發,文獻上其微影解析度可達半間距5奈米,並可作不需光阻的離子束噴濺、誘發沉積與蝕刻,以有效支援研究團隊進行10奈米以下前瞻奈米元件的製作與觀察。我們也致力於利用電漿增強型原子層沉積技術製備新穎奈米材料來開發表面增強與針尖式增強拉曼散射技術,以探測新穎奈米材料之微結構;並製作新型高介電層/金屬閘極堆疊、間隙壁自對準式奈米微影、以及無接面式矽奈米線電晶體。此外,本分項計畫研究開發配合現今Si IC的砷化銦奈米線的定址磊晶成長與水準橫置技術,並輔以電子束或氦離子束微影、原子層沉積氧化物技術,以製作矽基板上gate length小於7 nm之砷化銦奈米線金氧半場效電晶體。