新興記憶體

研究新興記憶體元件結構,開發金屬─絕緣層─半導體穿隧二極體式揮發性記憶體,於MIS穿隧二極體(TD)藉由結構設計形成電位及少數載子濃度與能量不均勻分布,當小偏壓讀取時,邊緣空乏區與不均勻分布載子將會形成額外電流,可有效增強讀取電流,形成明顯的正負兩電流態,可做為新穎揮發性記憶體用。

開發以鐵電穿隧接面與電阻式隨機存取記憶體為基礎的憶阻器元件,研究探討其電阻變化的特性。

開發低功耗之鉿基氧化物鐵電記憶特性研究及其應用,利用鐵電鉿基氧化物成長發展FeRAM,外加電場使電偶極矩重新排列,經由電壓極性的改變,使電偶極矩方向反轉,可在記憶晶片上表示「0 或 1」。

開發鉿基鐵電記憶體之模型與模擬,應用鉿基鐵電材料第一原理計算配合TCAD記憶體模擬,研究前瞻記憶體元件設計。